IBM, che da poco ha festeggiato il proprio centesimo compleanno, da tempo è impegnata nella ricerca sulle memorie a cambiamento di fase.
Si tratta di dispositivi di memoria non volatile che utilizzano un materiale in grado di cambiare fase - da amorfa a cristallina e viceversa - in maniera controllata applicando una corrente
La fase cristallina, con bassa resistenza elettrica, rappresenta un 1 logico; la fase amorfa, con alta resistenza, uno 0 logico.
Ora i ricercatori dell'azienda di Armonk sono riusciti a realizzare un esemplare che vanta una velocità di lettura e di scrittura 100 volte superiore a quella delle normali memorie Flash.
Il ritrovato di IBM non è solo più veloce, ma anche più affidabile e resistente nel tempo: può sopportare almeno 10 milioni di cicli di scrittura, laddove le migliori FLash di livello aziendale arrivano a 30.000 cicli (e quelle di classe consumer appena a 3.000).
Questa nuova tecnologia - dimostrata con un chip di prova costituito da 200.000 celle e fabbricato a 90 nanometri - è in grado di memorizzare quattro bit di dati per cella (la versione precedente arrivava a un solo bit) ed è sufficientemente economica da lasciar prevedere un utilizzo generalizzato.
IBM conta di realizzare un prodotto commercializzabile entro cinque anni.
VIA| zeusnews
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